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                发布时间2022-05-31,由cyanbat发布 | 关键词:ATR机箱

                加固ATR机箱电磁屏表情现了出来蔽的原理

                加固ATR机箱作为一种电卐子设备,对电磁屏蔽性能有╱很高的要求。通过电磁屏蔽理论的分析和研究,探讨如何在结构工艺上保证机箱的电磁↑屏蔽性和抑制电磁干扰的有效措施。

                一个屏蔽体具▅有3种哀减作用:

                ① 因为空▲气于金属交界阻抗的不相同而使得♂人射能量被屏蔽体表面所反射,称◥反射损耗R;

                ② 当人射能量通过屏蔽体时被吸收哀减,称吸收损▆耗A;

                ③ 当入社▲能量通过屏蔽体内部,到达屏蔽体另一面,由金属♂与空气交界阻抗不同引起的反射哀减,称多重反射心下发出一声感叹损耗B。

                所以屏蔽的计算公式为:

                SE=A+R+B

                其中发射损耗与电磁波的〖波阻抗和屏蔽体的特征阻抗有关,而吸收♂损耗中趋肤深度则是一个关键因素。反射损耗(近场)的大小取决于电磁屏蔽产生源⊙的性质以及与波源的距离和屏蔽体的阻抗为:

                R(电)=lg(4500/D*f#Zs)

                R(磁)=20lg(2*D#f/Zs)

                而|Zs|=3.68*(f*u/6)1/2/100000000,远场为R=20lg(377/4*Zs)

                吸收损耗则与屏蔽体的磁导率、电导率及电磁波的频率有关。

                A=3.34(f x 6 x i)1/2 x i。

                校正因子仅适用于近磁场环境并且吸收损╱耗小于10dB的情况。另外有一点必须说■明,由于屏蔽体吸收效率」不高,其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能力增加,所以校正因子╱可能是个负数,表示屏蔽效率的下降情况。

                B=20lg[1-exp(2t/6)]

                式中,A为吸收损『耗(dB);R为▽反射损耗;B为校正因『子;f为电磁屏蔽频率(MHz);i为相对导磁█率,6位相对导电率;t为屏蔽罩厚我们走吧度;D为波源与屏蔽之间的『距离;Zs为屏蔽体阻抗。

                ATR机箱技术√方案、图纸设计、仿真分析

                ATR机箱加工、表处、喷漆、装配

                ATR机箱安装附件:锁紧条、助拔器、前锁紧装置及配套使用附件、接地柱、隔振器等。


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                文章来源:@青蝠科技   作者:@cyanbat


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